Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЕ ОКИСЛЕНИЕ КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ГЕНЕРАТОРА ОЗОНА»

Авторы:
  • Патюков С.И.1
  • Резванов А.А.2
  • Черняев М.В.3
  • Горохов С.А.4
стр. 73-79
Платно
1 АО «НИИМЭ», 2 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ), 3 АО «НИИМЭ», 4 АО «НИИМЭ»; МФТИ (НИУ)
Ключевые слова:
  • РАДИКАЛЬНОЕ ОКИСЛЕНИЕ
  • КИНЕТИКА РОСТА ОКСИДА КРЕМНИЯ
  • ОКИСЛЕНИЕ В ОЗОНЕ
  • ГЕНЕРАТОР ОЗОНА
  • RADICAL OXIDATION
  • KINETICS OF SILICON OXIDE GROWTH
  • OXIDATION BY OZONE
  • OZONE GENERATOR
Аннотация:
В работе исследуется кинетика низкотемпературного радикального окисления кремния в потоке озона, сформированном в озонаторе (генераторе озона). Полученные данные подтверждают уникальные возможности процесса низкотемпературного окисления в озоне - возможность формирования тонкого оксида кремния толщиной 10…20 A при температуре 500 °С, что примерно на 150…200 градусов ниже, чем для существующего процесса ISSG окисления.
Пожалуйста, авторизуйтесь, чтобы получить бесплатный доступ к статье.