Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста
Войти / Регистрация
Корзина

  • Ваша корзина пуста

Статья «Эпитаксиальный рост пленок теллурида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния, "Физика твердого тела"»

Авторы:
  • Антипов В.1
  • КУКУШКИН С.А.
  • ОСИПОВ А.В.
стр. 385-388
Платно
1 Институт проблем машиноведения РАН; Санкт-Петербургский государственный технологический институт
Аннотация:
Впервые выращен эпитаксиальный теллурид кадмия толщиной 1-3 mum на кремнии с буферным слоем карбида кремния методом открытого термического испарения и конденсации в вакууме. Оптимальная температура подложки составила 500oC при температуре испарителя 580oC, время роста 4 s. Для более качественного роста теллурида кадмия на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом топохимического замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, рентгеновский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя CdTe и отсутствие поликристаллической фазы.

Архивные статьи (2015 год и ранее) доступны для ознакомления бесплатно, для скачивания их необходимо приобрести. Для просмотра материалов необходимо зарегистрироваться и авторизоваться на сайте.

Чтобы приобрести доступ к материалу для юридического лица, пожалуйста, свяжитесь с администрацией портала с помощью формы обратной связи либо по электронному адресу libnauka@naukaran.com.  

Действия с материалами доступны только авторизованным пользователям.